在照明、显示、背光等领域，LED凭借节能、长寿、高亮度的优势成为主流光源，而其性能与品质的核心，源于背后精密复杂的加工工艺。从半导体衬底到最终封装成品，LED加工需经过多道关键工序，每一步工艺的精度控制，都直接决定LED的发光效率、稳定性与使用寿命。如今，随着Mini/MicroLED等新技术的兴起，LED加工工艺更朝着“精细化、集成化”方向升级，为应用场景提供更强支撑。
LED加工工艺的首要核心是外延生长：奠定发光基础。外延生长是在半导体衬底上生长LED发光层的关键环节，目前主流采用MOCVD技术。该工艺需在高温、高真空环境下，将金属有机化合物与氨气等反应气体精准输送至衬底表面，控制生长速率与薄膜厚度，形成GaN基量子阱结构——这是LED实现电光转换的核心。例如，为提升蓝光LED的发光效率，需通过调节量子阱的层数与阱宽，优化电子与空穴的复合效率；而对于MiniLED，外延层的均匀性误差需控制在±5%以内，才能确保批量生产的LED亮度一致性。
其次是芯片制造：精准雕琢核心结构。外延片完成后，需通过光刻、刻蚀、蒸镀等工艺制作LED芯片的电极与电流扩展层。光刻工艺利用紫外光将电路图案转移至外延片表面，线宽精度可达1-2μm，确保电极布局均匀；干法刻蚀则通过等离子体精准去除多余外延层，形成芯片的结构，控制刻蚀深度误差在±0.1μm，避免损伤发光层；蒸镀工艺则在芯片表面沉积金属电极，保障电流均匀注入，减少电流拥挤导致的局部过热问题。对MicroLED而言，芯片尺寸缩小至100μm以下，需采用更精密的光刻设备与倒装焊技术，实现芯片的高密度集成。
最后是封装工艺：兼顾保护与性能优化。LED芯片需通过封装实现电气连接、机械保护与光效优化，不同应用场景对应不同封装工艺。照明领域常用COB工艺，将多颗LED芯片集成在金属基板上，通过硅胶封装形成面光源，散热效率较传统分立封装提升30%；显示领域的MiniLED则采用SMT或COG封装，搭配高精度光学透镜，控制出光角度误差在±2°，确保显示画面的清晰度与对比度；此外，封装材料的选择也至关重要——采用高透光率、抗老化的硅胶或环氧树脂，可延长LED使用寿命至5万小时以上，避免长期使用导致的光衰问题。
随着LED应用向多元化发展，加工工艺的创新从未停止。从外延生长的精准控温到芯片制造的微缩集成，再到封装工艺的散热优化，每一步技术突破都推动LED性能迈向新高度。
