当LED走向Mini/Micro显示、高功率UV与深紫外器件，微米PSS的散射增益逐渐触顶，更细的纳米结构才能进一步压制全反射、匹配短波长光学。把图形推到100–300nm的纳米锥/纳米柱，配合光子晶体思路，外量子效率较PSS再提20–40%，NPSS加工工艺是显示与高亮芯片的下一代衬底技术。
NPSS的难点在“纳米图形如何低成本量产”——传统投影光刻贵、电子束慢，难放大。主流方案是纳米压印光刻（NIL）：先在蓝宝石沉SiO₂硬掩膜、旋涂UV压印胶，用纳米模板（硬模/PDMS软模）整片压印并紫外固化，去残胶后将图形经RIE转到SiO₂，再以ICP-Cl₂刻出纳米锥，最后湿法清掩膜。NIL兼具高分辨与晶圆级高通量，软UV-NIL还能适配轻微翘曲，是产业化的关键路径；辅以AAO阳极氧化、纳米球自组装作低成本的科研路线。
在Micro/MiniLED显示中，NPSS的纳米散射让RGB芯片出光更均匀、巨量转移良率更高，是AR/VR与8K直显的底层支撑；高功率蓝光与LD借纳米岛状生长进一步降位错、抗droop；UV-C深紫外LED因蓝宝石与AlN失配更大，NPSS的侧向合并显著改善晶体质量与光提取，推动杀菌与水处理应用。此外，NPSS的思路也延伸至光子晶体LED、微腔激光器的周期性结构制备。
挑战在于模板寿命、脱模缺陷与大尺寸均匀性——现代产线通过抗粘涂层、双层胶与多区温控化解，6英寸NPSS已小批量导入。对追求“极限光效”的头部厂，NPSS加工工艺是工艺跃迁：它把图形化从微米推进到纳米尺度，让GaN器件逼近理论内量子效率，也为第三代半导体的异质集成打开新空间。
